Wie funktioniert epitaktisches Wachstum?

Wie funktioniert epitaktisches Wachstum?
Wie funktioniert epitaktisches Wachstum?
Anonim

Epitaxie, der Prozess des Züchtens eines Kristalls mit einer bestimmten Orientierung auf einem anderen Kristall, wobei die Orientierung durch den darunter liegenden Kristall bestimmt wird. Die Erzeugung verschiedener Schichten in Halbleiterwafern, wie sie in integrierten Sch altkreisen verwendet werden, ist eine typische Anwendung für das Verfahren.

Wie wird epitaktisches Wachstum erreicht?

Methoden. Epitaktisches Silizium wird normalerweise unter Verwendung von Dampfphasenepitaxie (VPE), einer Modifikation der chemischen Gasphasenabscheidung, gezüchtet. Molekularstrahl- und Flüssigphasenepitaxie (MBE und LPE) werden ebenfalls verwendet, hauptsächlich für Verbindungshalbleiter. Die Festphasenepitaxie wird hauptsächlich zur Heilung von Kristallschäden verwendet.

Welches Gas wird für das epitaktische Wachstum verwendet?

Während des epitaxialen Wachstumszyklus werden die vorgereinigten GaAs-Wafer in eine vertikale Quarzreaktorkammer geladen, die ein oberes Reservoir mit elementarer Flüssigkeit Gallium enthält, über das wasserfreies HCl-Gas dosiert wird, Bildung von GaCl3.

Wozu dient die Epitaxieschicht?

photonische Bauelemente

Für die effiziente Emission oder Detektion von Photonen ist es oft notwendig, diese Prozesse auf sehr dünne Halbleiterschichten zu beschränken. Diese dünnen Schichten, die auf Bulk-Halbleiterwafern aufgewachsen sind, werden Epitaxieschichten genannt, weil ihre Kristallinität mit der des Substrats übereinstimmt, obwohl…

Was sind die Schlüsselparameter, die beim epitaktischen Wachstum kontrolliert werden müssen?

Der Wachstumsprozess beinh altet die Optimierung der Hauptparameter, d.h. Temperatur, Druck und Gasströme, um eine vollständige Kontrolle über die Selektivität zu erh alten (d.h. Polysilicium-Keimbildung auf dem Feldbereich), Seitenwand Facettierung, Defekterzeugung und Autodoping.

Lec-6 | Epitaktisches Wachstum und Gitteranpassung | Technologie der Halbleiter

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